중국에 반도체 핵심 기술 유출한 삼성전자 전직 부장, 징역 6년4개월 확정 - 경향신문

반도체 이미지. 삼성전자 제공 중국 메모리 반도체회사에 핵심 기술을 유출한 전직 삼성전자 기술팀 부장이 파기환송심에서 징역 6년4개월을 확정받았다. 서울고법 형사10-1부(재판장 이상호)는 23일 전 삼성전자 기술팀 부장 김모씨, 협력사 전 직원 방모씨와 김모씨 등에 대한 산업기술보호법 위반 등 혐의 파기환송심 선고공판을 진행했다. 재판부는 김씨에게 징역 6년4개월과 벌금 2억원을 선고했다. 방씨와 김씨에겐 상고심에서 유죄가 확정된 부분과 별개로 각각 징역 3개월, 징역 2개월에 집행유예 1년을 추가로 선고했다. 김씨는 삼성전자를 퇴사한 뒤 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직해 삼성전자의 반도체 핵심 기술인 ‘18나노 D램 반도체 공정 정보’ 등을 빼돌린 혐의로 2024년 재판에 넘겨졌다. 김씨는 방씨 등과 공모해 협력사의 반도체 증착장비 설계 도면을 무단으로 빼돌려 네트워크 연결저장장치(NAS) 서버에 올린 혐의도 받는다. 이들은 이 과정에서 서로에게 영업비밀을 넘겨줬고, 잘 모르는 부분은 서로 알려주기도 한 것으로 조사됐다. 김씨는 1심에서 징역 7년과 벌금 2억원을 선고받았다가, 2심에서 징역 6년과 벌금 2억원으로 감형됐다. 전직 협력사 직원 방씨와 김씨는 1,2심에서 각각 징역 2년6개월, 1년6개월을 선고받았다. 당시 1, 2심 재판부는 이들끼리 영업비밀을 주고받은 누설 혐의는 영업비밀을 사용한 혐의에 포함된다고 보고, 영업비밀 누설에 따른 부정경쟁방지법 위반 혐의에 대해선 무죄를 선고했다. 대법원은 영업비밀 사용 행위와 누설 행위를 별개로 봤다. 누설 행위도 따로 처벌해야 한다며 원심판결을 뒤집었다. 대법원이 유죄 취지로 원심을 파기한 데 따라 이날 파기환송심 재판부는 김씨 등에 대해 추가로 유죄를 선고하고 형량을 늘렸다. 재판부는 “D램 연구 개발을 위해 피해회사들이 투입한 막대한 시간과 비용을 헛되게 했다”며 “거래질서를 심각하게 저해하고 국가 경쟁력에 악영향을 주는 매우 중대한 범죄”라고 밝혔다.