SK하이닉스, 하반기 HBM4E 샘플 공급...1c D램 기반 - 디일렉
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요약
SK하이닉스가 오는 하반기 1c D램을 적용한 차세대 HBM4E 샘플을 고객사에 공급할 계획입니다. 이는 고대역폭 메모리 기술을 한 단계 더 발전시켜 AI 반도체 시장에서의 경쟁력을 강화하기 위한 전략으로 분석됩니다.
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본문
SK하이닉스가 올해 하반기 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 샘플을 고객사에 공급할 계획이다. HBM4E 코어 다이(Die)를 10나노급 6세대 1c D램으로 만들어 경쟁력을 확보한다. 김기태 SK하이닉스 HBM세일즈마케팅담당 부사장은 23일 올해 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM4E는 출하 일정과 제품 사양에 대해 고객사와 긴밀하게 협의하며 준비하고 있다"며 "내부적으로 하반기 샘플을 공급할 계획이고, 내년 양산을 목표로 순조롭게 개발 중이다"라고 밝혔다. HBM4E는 HBM4 다음 세대 제품이다. SK하이닉스는 HBM4E 코어 다이에 1c D램을 적용할 예정이다. 기존 HBM4는 10나노급 5세대 1b D램으로 만들었다. 경쟁사인 삼성전자는 HBM4부터 1c D램 기반으로 제조하고 있다. 김 부사장은 "SK하이닉스의 1c 공정 D램은 업계 최고 수준의 성능을 입증했다"며 "지난해 말부터 양산을 시작해 수율과 양산 능력 모두 이미 성숙 단계에 도달했다"고 차별점을 소개했다. HBM4E의 성능이나 생산능력에 문제가 없다는 의미로 풀이된다. HBM은 크게 코어 다이와 베이스 다이로 나뉜다. 코어 다이는 HBM용으로 만들어진 D램 칩이다. 해당 칩을 여러 층으로 쌓고, 실리콘관통전극(TSV) 기술로 연결한다. 베이스 다이는 최하단에서 하나로 연결된 코어 다이를 제어한다. 외부 장치에 데이터를 보내는 역할이다. 이날 SK하이닉스는 HBM4E 베이스 다이의 구체적 제조 공정이나 패키징 기술은 공개하지 않았다. 김 부사장은 "고객사가 요구하는 성능에 부합하는 최적의 공정으로 베이스 다이를 개발하고 있다"고만 했다. 추가 기술 내재화와 고객사 검증을 거쳐, 적기에 HBM4E 개발을 완료한다. 삼성전자도 올해 중반 고객사에 HBM4E 샘플을 제공할 예정이다. 현재 생산하고 있는 HBM4의 고객사 인증, 출하 시점에 대한 질문도 나왔다. 김 부사장은 "HBM은 고객 관점에서 속도와 전력 같은 성능 뿐 아니라 품질, 수율, 공급 안정성 등 통합 경쟁력이 더 중요하다"며 "SK하이닉스는 고객사별 제품 양산 시점에 맞춰 생산능력을 확대(램프업)해 적시 공급할 수 있도록 준비하고 있다"고 답했다. 이어 HBM에 집중하기 보다는 생산능력을 균형있게 배분해 D램 시장도 대응하겠단 입장을 내놨다. SK하이닉스는 HBM 외 차세대 D램과 낸드 제품도 공급을 준비하고 있다. 우선 1c 기반 저전력 D램(LPPDDR6) 제품은 올해 하반기 본격 공급된다. 탑재 제품은 최고 사양의 스마트폰 제품이다. SK하이닉스는 지난 달 해당 제품 개발을 완료했다고 밝힌 바 있다. LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도는 33%, 전력 효율은 20% 이상 개선됐다. 192GB 용량의 SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module)2도 이달부터 양산을 시작했다. 1c D램 기반 LPDDR5X로 만든다. 기존 서버용 메모리 모듈(RDIMM) 대비 대역폭은 2배, 에너지 효율은 75% 개선했다. 엔비디아의 인공지능(AI) 연산 플랫폼인 베라 루빈용으로 최적화된 제품이다. 하반기부터 엔비디아에 공급할 것으로 전망된다. 컴퓨트익스프레스링크(CXL)와 연산메모리(PIM), 고대역폭낸드플래시(HBF)도 준비하고 있다. SK하이닉스는 향후 CXL 3.0 지원 2세대 CXL 메모리 모듈을 내놓을 예정이다. 지난해 고객사 인증을 완료한 CXL 2.0 기반 1세대 메모리 모듈 대비 용량과 성능을 향상한다. CXL와 PIM 등 신규 솔루션의 검증 목적으로 지난해 대규모 클라우드 서비스 업체(CSP) 네이버클라우드와 업무협약(MOU)을 체결했다. HBF는 사양 표준화를 시작했다. 지난 2월 관련 컨소시엄을 구성했다. SK하이닉스와 샌디스크가 참여한다. 향후 HBF 세계 표준화와 제품화를 순차 진행할 예정이다. HBF는 낸드 메모리를 HBM처럼 3D 적층해 만든다. 기존 낸드 대비 대역폭을 늘려 데이터 처리 속도와 지연시간을 개선한 제품이다. HBM의 부족한 메모리 용량을 보완할 것으로 기대하고 있다. 송창석 SK하이닉스 낸드마케팅 담당은 "SK하이닉스는 현장(엣지) AI와 물리적(피지컬) AI 등 다양한 환경에 최적화한 메모리 솔루션을 준비하고 있다"며 "HBM으로 확보한 AI 메모리 시장 지배력을 공고히 하겠다"고 강조했다.